QLC 和 TLC
TLC全称是苹果Level Cell ，进一步提高了存储密度 ，或最每个存储单元可以存储3bit的早于e中信息 。
TLC NAND 的使用D闪成本甚至比 MLC NAND 更低 ，这使其成为消费电子产品和主流 SSD 的存存储上暗区突围辅助网理想选择 。
QLC的苹果暗区突围科技购买平台全称是Quad-level cells ，每个cell可以存储4bit的或最数据，相比TLC，早于e中QLC的使用D闪存储密度提升了33% 。
QLC NAND 通常用于入门级消费级 SSD 和大容量存储应用 。存存储上QLC NAND 的苹果耐久性最低 ，通常 P/E 周期 (擦除周期) 在 100 到 1000 之间 。或最
制造商实施先进的早于e中暗区突围科技辅助纠错机制、OP（ Over）和Wear来保持可靠性 。使用D闪
虽然 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载，存存储上但它为日常使用提供了充足的存储容量 ，使更广泛的暗区突围科技辅助官网用户可以使用 SSD。
据报道 ，苹果正在推广 QLC NAND
最早泄露的信息称 ，苹果计划在14系列上采用QLC NAND ，IT之家今年1月份就报道称，暗区突围科技下载苹果可能会在16 Pro系列上采用QLC NAND 。
估计 ，苹果正在加速向QLC NAND的过渡 ，从而将内置存储的暗区突围科技软件上限提高到2TB 。
不过需要注意的是 ，虽然QLC的密度比TLC高 ，但速度却比后者慢；而且由于单个单元中单元数量更多，因此它们的暗区突围科技外挂网站耐久性较低，这意味着它们能处理的写入周期比TLC少 。
认识大语言模型
苹果还在探索如何使用 NAND 闪存而不是 RAM 来存储大型语言模型 (LLM) ，从而能够在本地运行更多的 AI 任务，因此过渡到 QLC NAND 可以帮助提高苹果的暗区突围科技辅助gg性能 。
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